IXFN200N10P

Версия для печати

Технические характеристики IXFN200N10P

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	Polar™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	200A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	235nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	7600pF @ 25V
Power - Max	680W
Тип монтажа	Шасси
Корпус (размер)	SOT-227-4, miniBLOC
Корпус	SOT-227B

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFN200N10P (MOSFET)

Polar HiPerFET Power MOSFETs

Производитель:
IXYS

IXFN200N10P datasheet
86.3 Кб