IXFB80N50Q2

Версия для печати

Технические характеристики IXFB80N50Q2

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HiPerFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	80A
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	250nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	15000pF @ 25V
Power - Max	960W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	3-PLUS264™
Корпус	PLUS264™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFB80N50Q2 (MOSFET)

HiPerFET Power MOSFETs

Производитель:
IXYS

IXFB80N50Q2 datasheet
551.1 Кб