IRFBC30APBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFBC30APBF (VISHAY)	248	35.96

Версия для печати

Технические характеристики IRFBC30APBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	510pF @ 25V
Power - Max	74W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFBC30APBF (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFBC30APBF datasheet
193.3 Кб