|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | HEXFET® |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 33A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 85A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4460pF @ 50V |
Power - Max | 350W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRFB4321PBF (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
B66397-G-X187, N87, ETD59 (1 ШТ.) | EPCOS | |||||||
CR123ASL | Элемент питания литий - марганцевый, для небольших токов и длительной работы, 3В, ... | EEMB | ||||||
CR123ASL | Элемент питания литий - марганцевый, для небольших токов и длительной работы, 3В, ... | |||||||
SM712 | SEM | |||||||
SM712 | SMTC | |||||||
SM712 | ANBON | 1 892 | 8.38 | |||||
SM712 | 13 280 | 4.34 | ||||||
SM712 | FUXIN | 6 515 | 3.99 | |||||
SM712 | MDD | 6 485 | 6.21 | |||||
SM712 | DOWO | 4 396 | 4.05 | |||||
SM712 | TECH PUB | 64 800 | 3.45 | |||||
SM712 | HOTTECH | 8 153 | 10.28 | |||||
SM712 | YJ | 11 657 | 10.61 | |||||
SM712 | MSKSEMI | 3 707 | 6.17 | |||||
К78-2, 0.01 МКФ, 1600 В, 10% | ПОЛИКОНД | |||||||
К78-2, 0.01 МКФ, 1600 В, 10% |
|