IRF9910

Версия для печати

Технические характеристики IRF9910

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	2 N-Channel (Dual)
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.4 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10A, 12A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.55V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	900pF @ 10V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF9910 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF9910 datasheet
205.4 Кб