IRF8010L
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
Версия для печати
| Полярность | N |
| Каналов,шт | 1 |
| VDSS,В | 100 |
| RDS(ON) 10 В,мОм | 15 |
| ID,А | 80 |
| PWT,Вт | 260 |
| Корпус | TO-262 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF8010L (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
