IRF7306Q

Версия для печати

Технические характеристики IRF7306Q

Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 1.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	440pF @ 25V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7306Q (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Dual P-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF7306Q datasheet
249.5 Кб