IRF6722STR1PBF
Транзистор N-канальный (30V, 58A, 42W, 0.0073R ST)
|
Версия для печати
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.3 mOhm @ 13A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 13A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1320pF @ 15V |
| Power - Max | 2.2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DirectFET™ Isometric ST |
| Корпус | DIRECTFET™ ST |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF6722STR1PBF (MOSFET) N-Channel HEXFET Power MOSFET
Производитель:
|
