IRF6721STR1PBF


N-channel hexfet power mosfet

Купить IRF6721STR1PBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF6721STR1PBF
Версия для печати

Технические характеристики IRF6721STR1PBF

СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.3 mOhm @ 14A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C14A
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1430pF @ 15V
Power - Max2.2W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)DirectFET™ Isometric SQ
КорпусDIRECTFET™ SQ
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF6721STR1PBF (MOSFET)

N-Channel HEXFET Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF6721STR1PBF datasheet
268.4 Кб

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    IRF6721STR1     INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
    IRF6721STR1       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    IRF6721STR1     INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
    IRF6725MTR1     INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
    IRF6725MTR1       Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF6725MTRPBF N-channel hexfet power mosfet   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход