IRF3808L

Версия для печати

Технические характеристики IRF3808L

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 82A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	106A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	220nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5310pF @ 25V
Power - Max	200W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус	TO-262

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF3808L (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF3808L datasheet
302.2 Кб