IRF1010EZS

Версия для печати

Технические характеристики IRF1010EZS

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 51A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	75A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	86nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2810pF @ 25V
Power - Max	140W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF1010EZS (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF1010EZS datasheet
199.6 Кб