IPP023NE7N3G
Optimos™ 3 power-transistor
|
Версия для печати
| Полярность | N |
| Каналов,шт | 1 |
| VDSS,В | 75 |
| RDS(ON) 10 В,мОм | 2.1 |
| ID,А | 120 |
| PWT,Вт | 300 |
| Корпус | TO-220-3 ISO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IPP023NE7N3G (MOSFET) OptiMOS™ 3 Power-Transistor
Производитель:
|
