IPI052NE7N3G
Optimos™ 3 power-transistor
|
Версия для печати
| Полярность | N |
| Каналов,шт | 1 |
| VDSS,В | 75 |
| RDS(ON) 10 В,мОм | 4.7 |
| ID,А | 80 |
| PWT,Вт | 150 |
| Корпус | TO-262 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IPI052NE7N3G (MOSFET) OptiMOS™ 3 Power-Transistor
Производитель:
|
