IPB021N06N3G
Optimos™ 3 power-transistor
|
Версия для печати
| Полярность | N |
| Каналов,шт | 1 |
| VDSS,В | 60 |
| RDS(ON) 10 В,мОм | 1.8 |
| ID,А | 120 |
| PWT,Вт | 250 |
| Корпус | TO-263-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IPB021N06N3G (MOSFET) OptiMOS™ 3 Power-Transistor
Производитель:
|
