FQD18N20V2


200v n-channel mosfet

Купить FQD18N20V2 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FQD18N20V2
Версия для печати

Технические характеристики FQD18N20V2

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияQFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs140 mOhm @ 7.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C15A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1080pF @ 25V
Power - Max2.5W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQD18N20V2 (MOSFET)

200V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQD18N20V2 datasheet
748.6 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход