FQB5N60C
600v n-channel mosfet
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | QFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 2.25A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 670pF @ 25V |
| Power - Max | 3.13W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FQB5N60C (MOSFET) 600V N-Channel MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
TOP259YN |
|
Power Integrations |
|
|
||
|
|
|
TOP259YN |
|
PI |
|
|
||
| UG8DT-E3/45 | VISHAY |
|
|
|||||
| UG8DT-E3/45 | Vishay/General Semiconductor |
|
|
|||||
| UG8DT-E3/45 |
|
|
