DMP3056LSD

Версия для печати

Технические характеристики DMP3056LSD

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	2 P-Channel (Dual)
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.9A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	13.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	722pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DMP3056LSD (MOSFET)

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Производитель:
Diodes Incorporated

DMP3056LSD datasheet
172.1 Кб