DMN601DWK


Dual n-channel enhancement mode field effect transistor

Купить DMN601DWK ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
DMN601DWK
Версия для печати

Технические характеристики DMN601DWK

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET Type2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs2 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C305mA
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds50pF @ 25V
Power - Max200mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
КорпусSOT-363
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DMN601DWK (MOSFET)

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Производитель:
Diodes Incorporated

DMN601DWK datasheet
189.7 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход