DMN5L06DWK


Dual n-channel enhancement mode field effect transistor

Купить DMN5L06DWK ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
DMN5L06DWK
Версия для печати

Технические характеристики DMN5L06DWK

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET Type2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs2 Ohm @ 50mA @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss)50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C305mA
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds50pF @ 25V
Power - Max250mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
КорпусSOT-363
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DMN5L06DWK (MOSFET)

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Производитель:
Diodes Incorporated

DMN5L06DWK datasheet
360.2 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход