| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
5Ц4С |
|
Кенотрон 5Ц4С - двуханодный косвенного накала - предназначен для выпрямления ...
|
|
1
|
296.00
|
|
|
|
|
DIP18-S |
|
Панель DIP-18S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм
|
NELTON
|
|
|
|
|
|
|
DIP18-S |
|
Панель DIP-18S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм
|
|
|
6.00
|
|
|
|
|
DIP18-S |
|
Панель DIP-18S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм
|
NELTRON
|
|
|
|
|
|
|
DIP18-S |
|
Панель DIP-18S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм
|
HSUAN MAO
|
|
|
|
|
|
|
ЗП-22 |
|
Звукоизлучатель отечественный 75дБ, 6В, 1-3,5кГц
|
|
302
|
25.76
|
|
|
|
|
ЗП-22 |
|
Звукоизлучатель отечественный 75дБ, 6В, 1-3,5кГц
|
АВРОРА
|
800
|
237.64
|
|
|
|
|
ЗП-22 |
|
Звукоизлучатель отечественный 75дБ, 6В, 1-3,5кГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
ЗП-22 |
|
Звукоизлучатель отечественный 75дБ, 6В, 1-3,5кГц
|
ООО НПП " АВРОРА" Г. ВОЛГОГРАД
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
2 016
|
33.30
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
24.57
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
1 752
|
37.80
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
МЛТ-0.25-200 ОМ 5% А-В |
|
|
ТИРА
|
|
|
|
Версия для печати
