|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
|
396
|
22.20
|
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
1
|
|
|
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
FUMAN
|
2 724
|
4.48
|
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
NXP/NEXPERIA
|
1 369
|
11.50
|
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
316
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
2 904
|
2.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
13 039
|
2.17
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
35 563
|
3.71
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
486
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
611 417
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
45 325
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.60
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
4 503
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
3.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
132 408
|
2.07
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
76 800
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
XXW
|
150 699
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BPW34 |
|
PIN фотодиод 50мкA, прозрачный 130°
|
OSRAM OPTO
|
|
|
|
|
|
BPW34 |
|
PIN фотодиод 50мкA, прозрачный 130°
|
VISHAY
|
4 645
|
40.15
|
|
|
|
BPW34 |
|
PIN фотодиод 50мкA, прозрачный 130°
|
|
|
|
|
|
|
BPW34 |
|
PIN фотодиод 50мкA, прозрачный 130°
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
BPW34 |
|
PIN фотодиод 50мкA, прозрачный 130°
|
OSRAM Opto Semiconductors Inc
|
|
|
|
|
|
BPW34 |
|
PIN фотодиод 50мкA, прозрачный 130°
|
OSRAM
|
|
|
|
|
|
PB-02AKGN С ФИКС. |
|
|
|
|
65.84
|
|