IRLL024N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRLL024N		46.40

Версия для печати

Технические характеристики IRLL024N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 3.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	15.6nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	510pF @ 25V
Power - Max	1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLL024N (N-канальные транзисторные модули)

Hexfet Power Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRLL024N datasheet
116.56Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC4237	Биполярный транзистор NPN 1200V, 10A, 150W, 8MHz, Tf<300nS	CHINA
2SC4237	Биполярный транзистор NPN 1200V, 10A, 150W, 8MHz, Tf<300nS	SHIN
2SC4237	Биполярный транзистор NPN 1200V, 10A, 150W, 8MHz, Tf<300nS			481.12
2SC4237	Биполярный транзистор NPN 1200V, 10A, 150W, 8MHz, Tf<300nS	UNKNOWN
2SC4237	Биполярный транзистор NPN 1200V, 10A, 150W, 8MHz, Tf<300nS	КИТАЙ
2SC4237	Биполярный транзистор NPN 1200V, 10A, 150W, 8MHz, Tf<300nS	ISC
2SC4237	Биполярный транзистор NPN 1200V, 10A, 150W, 8MHz, Tf<300nS	ISCSEMI
L-154A4SURKQBDZGW		KINGBRIGHT
L-154A4SURKQBDZGW		KB
L-154A4SURKQBDZGW		КИТАЙ
L-154A4SURKQBDZGW		KGB	308	64.26
MC78M05ABDTG		ON SEMICONDUCTOR
MC78M05ABDTG		ONS	63	83.64
MC78M05ABDTG				39.44
MC78M05ABDTG		ON SEMICONDUCTOR
MRF49XA-I/ST	Радиотрансивер 433-930MHz	MICRO CHIP
MRF49XA-I/ST	Радиотрансивер 433-930MHz	Microchip Technology
MRF49XA-I/ST	Радиотрансивер 433-930MHz			1 148.80
MRF49XA-I/ST	Радиотрансивер 433-930MHz	MICRO CHIP
СМАЗКА СИЛИКОНОВАЯ MITSHUBISHI, 5 Г.				78.00