IRL540N
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 36A, 140W Logic-Level)
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 18A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 36A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 74nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRL540NS 100V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRL540NS, IRL540NSTRL, IRL540NSTRR
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0805-3.3M 1% |
|
ЧИП — резистор |
|
1.08 >500 шт. 0.36 |
||||
| IRL540 | VISHAY |
|
|
|||||
| IRL540 |
|
120.00 | ||||||
| IRL540 | Vishay/Siliconix |
|
|
|||||
| SQP 10W 33 5% |
|
|
||||||
| SQP 10W 33 5% | YAGEO |
|
|
|||||
| SQP 10W 510 5% |
|
|
||||||
| SQP 10W 510 5% | YAGEO |
|
|
|||||
| ULQ2003D1013TR |
|
7 ключей на составных транзисторах | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||
| ULQ2003D1013TR |
|
7 ключей на составных транзисторах |
|
51.32 | ||||
| ULQ2003D1013TR |
|
7 ключей на составных транзисторах | ALLEGRO |
|
|
|||
| ULQ2003D1013TR |
|
7 ключей на составных транзисторах | STMicroelectronics |
|
|
|||
| ULQ2003D1013TR |
|
7 ключей на составных транзисторах | КИТАЙ |
|
|
|||
| ULQ2003D1013TR |
|
7 ключей на составных транзисторах | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||
| ULQ2003D1013TR |
|
7 ключей на составных транзисторах | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
