IRG4BC20UD
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 13A, 60W (Ultrafast)
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 6.5A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 13A |
| Power - Max | 60W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRG4BC20UD-S (Дискретные сигналы) Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
1N5408 (3A 1000V) |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C) |
|
|
||
 |
MB1510 |
|
Мост 15А, 1000В | DC COMPONENTS |
|
|
||
|
|
MB1510 |
|
Мост 15А, 1000В |
|
|
|||
|
|
MB1510 |
|
Мост 15А, 1000В |
|
|
|||
|
|
MB1510 |
|
Мост 15А, 1000В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
MB1510 |
|
Мост 15А, 1000В | YJ |
|
|
||
 |
W10 |
|
Мост 1.5А,1000В |
|
|
|||
|
|
W10 |
|
Мост 1.5А,1000В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
W10 |
|
Мост 1.5А,1000В | KINGTRONICS |
|
|
||
| МЛТ-1-4,7 ОМ-5% | 87 | 7.20 | ||||||
| МЛТ-1-8,2 ОМ-5% | 728 | 5.28 |
