IRFZ44NS

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFZ44NS	840	28.68

Версия для печати

Технические характеристики IRFZ44NS

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.5 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	49A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	63nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1470pF @ 25V
Power - Max	3.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFZ44NS

N-channel Enhancement Mode Trenchmos Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

IRFZ44NS datasheet
73.7Kb
8стр.