|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAS16 (0.2A 75V) |
|
|
|
|
|
|
|
|
BAS40-04 |
|
Диод Шоттки
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAS40-04 |
|
Диод Шоттки
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS40-04 |
|
Диод Шоттки
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS40-04 |
|
Диод Шоттки
|
DC COMPONENTS
|
26 056
|
3.38
|
|
|
|
BAS40-04 |
|
Диод Шоттки
|
|
|
16.00
|
|
|
|
BAS40-04 |
|
Диод Шоттки
|
DIOTEC
|
14 469
|
3.47
|
|
|
|
BAS40-04 |
|
Диод Шоттки
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAS40-04 |
|
Диод Шоттки
|
NXP
|
1 239
|
|
|
|
|
BAS40-04 |
|
Диод Шоттки
|
PHILIPS
|
1 751
|
|
|
|
|
BAS40-04 |
|
Диод Шоттки
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BAS40-04 |
|
Диод Шоттки
|
HOTTECH
|
8
|
2.15
|
|
|
|
BAS40-04 |
|
Диод Шоттки
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAS40-04 |
|
Диод Шоттки
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAS40-04 |
|
Диод Шоттки
|
YJ
|
740 077
|
1.61
|
|
|
|
BAS40-04 |
|
Диод Шоттки
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAS40-04 |
|
Диод Шоттки
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
726 870
|
1.62
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
65 210
|
2.46
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
2 874
|
5.28
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
301
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
5 333
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
6.63
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
89 699
|
1.97
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
596
|
1.75
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
1
|
1.39
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
368
|
1.56
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
1 920
|
1.73
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
235 200
|
1.18
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 584 266
|
1.12
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
767 793
|
1.28
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
152 000
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
168 274
|
1.78
>100 шт. 0.89
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
51 200
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
2 240
|
1.60
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
|
16 800
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
PHILIPS
|
485
|
2.00
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
NXP
|
2 080
|
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
HOTTECH
|
9 840
|
1.22
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
SEMTECH
|
22
|
1.96
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
NEX-NXP
|
392
|
12.79
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
YJ
|
151 229
|
1.35
|
|
|
|
BC858B |
|
Транзистор биполярный PNP 30V 0,1A 0,25W B:220-475
|
SUNTAN
|
20 400
|
1.01
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
|
48
|
14.08
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
INFINEON
|
54
|
|
|