IRF7506

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF7506		57.72

Версия для печати

Технические характеристики IRF7506

Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270 mOhm @ 1.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	11nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	180pF @ 25V
Power - Max	1.25W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Корпус	Micro8™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7506 (P-канальные транзисторные модули)

Power Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRF7506 datasheet
105.23Kb
8стр.