|
FET Feature | Standard |
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 4.6A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.6A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 870pF @ 10V |
Power - Max | 2.5W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SO |
IRF7205 (P-канальные транзисторные модули) Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
3314G-1-102 | Резистор подстроечный однооборотный | BOURNS | ||||||
3314G-1-102 | Резистор подстроечный однооборотный | 101.04 | ||||||
3314G-1-102 | Резистор подстроечный однооборотный | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) | ||||||
3314G-1-102 | Резистор подстроечный однооборотный | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) | ||||||
3314G-1-203 | Резистор подстроечный однооборотный | BOURNS | ||||||
3314G-1-203 | Резистор подстроечный однооборотный | 101.04 | ||||||
3314G-1-203 | Резистор подстроечный однооборотный | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) | ||||||
3314G-1-203 | Резистор подстроечный однооборотный | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) | ||||||
IRF7342 | Транзистор полевой SMD | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRF7342 | Транзистор полевой SMD | 56.72 | ||||||
IRF7342 | Транзистор полевой SMD | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRF7342 | Транзистор полевой SMD | ТАИЛАНД | ||||||
IRF7342 | Транзистор полевой SMD | INFINEON | ||||||
IRF7342 | Транзистор полевой SMD | 1 | ||||||
PH 07M 2.0MM | AUK | |||||||
PH 07M 2.0MM | ||||||||
PH 07M 2.0MM | CONNFLY | |||||||
PH 07MR 2.0MM | AUK | |||||||
PH 07MR 2.0MM | ||||||||
PH 07MR 2.0MM | KLS |
|