Версия для печати
Технические характеристики BD436

Корпус	SOT-32-3
Корпус (размер)	TO-126-3
Тип монтажа	Выводной
Power - Max	36W
Frequency - Transition	3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max)	100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	32V
Current - Collector (Ic) (Max)	4A
Transistor Type	PNP
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

BD43x COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Также в этом файле: BD436 Производитель: STMicroelectronics //www.st.com BD436 datasheet 73.06Kb 4стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		1 716	27.90
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	1 012	32.79
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	3 625	33.48
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1415
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	20
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	3147

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIR
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	OTHER
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	Fairchild Semiconductor
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	CJ
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	CDIL
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	JSCJ	15 766	1.82
		BD912		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 15A, 90W (Comp. BD911)	ST MICROELECTRONICS
		BD912		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 15A, 90W (Comp. BD911)	SGS
		BD912		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 15A, 90W (Comp. BD911)		1	64.26
		BD912		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 15A, 90W (Comp. BD911)	SGS THOMSON
		BD912		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 15A, 90W (Comp. BD911)	STMicroelectronics
		BD912		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 15A, 90W (Comp. BD911)	ST1
		BD912		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 15A, 90W (Comp. BD911)	ST MICROELECTRO
		BD912		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 15A, 90W (Comp. BD911)	STMICROELECTR
		BD912		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 15A, 90W (Comp. BD911)	1
		GA-25-1000		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 25 В	TREC
		GA-25-1000		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 25 В			31.00
		GA-25-1000		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 25 В	КИТАЙ
		MMBTA06			FAIR
		MMBTA06			FAIRCHILD
		MMBTA06			FAIRCHILD	265
		MMBTA06			MCC
		MMBTA06				31 240	1.54
		MMBTA06			Fairchild Semiconductor
		MMBTA06			INFINEON	48
		MMBTA06			DIOTEC	1 956	7.33
		MMBTA06			PANJIT	28 444
		MMBTA06			LGE
		MMBTA06			YOUTAI	2 403	5.69
		MMBTA06			YJ	49 872	2.92
		MMBTA06			HOTTECH	2 712	1.72  >100 шт.   0.86
		MMBTA06			JSCJ
		MMBTA06			KEEN SIDE	11 200	1.33
		MMBTA06			3390
		NCP3170ADR2G			ONS
		NCP3170ADR2G
		NCP3170ADR2G			ON SEMICONDUCTOR	456
		NCP3170ADR2G			ON SEMICONDUCTO
		NCP3170ADR2G			ON SEMICONDUCTOR	7 895	65.10
		NCP3170ADR2G			4-7 НЕДЕЛЬ	158
		NCP3170ADR2G			2500
		NCP3170ADR2G			6497

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"