Версия для печати

2SK2129 (N-канальные транзисторные модули) Silicon N-channel Power F-mos Fet Производитель: Panasonic Semiconductor //www.panasonic.co.jp 2SK2129 datasheet 46.52Kb 3стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5355B		Стабилитрон 5Вт 18В SOD27	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5355B		Стабилитрон 5Вт 18В SOD27	ON SEMICONDUCTOR
		1N5355B		Стабилитрон 5Вт 18В SOD27	DC COMPONENTS
		1N5355B		Стабилитрон 5Вт 18В SOD27	DIOTEC
		1N5355B		Стабилитрон 5Вт 18В SOD27	ONS
		1N5355B		Стабилитрон 5Вт 18В SOD27		4	22.80
		1N5355B		Стабилитрон 5Вт 18В SOD27	Microsemi Commercial Components Group
		1N5355B		Стабилитрон 5Вт 18В SOD27	КИТАЙ
		1N5355B		Стабилитрон 5Вт 18В SOD27	MULTICOMP
		1N5355B		Стабилитрон 5Вт 18В SOD27	HOTTECH
		1N5355B		Стабилитрон 5Вт 18В SOD27	KLS
		1N5355B		Стабилитрон 5Вт 18В SOD27	MIC	2 317	13.58
		1N5355B		Стабилитрон 5Вт 18В SOD27	YJ	8 217	15.59
		1N5355B		Стабилитрон 5Вт 18В SOD27	1
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	FAIR
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	DC COMPONENTS	6 663	6.00
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	ST MICROELECTRONICS
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	RFE INTERNATIONAL
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	SMK
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	FAIRCHILD
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	RF ELECT/RFE INTERNATIONAL
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	FAIRCHILD
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	RF ELECT./RFE INTERNATIONAL
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	Fairchild Semiconductor
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	STMicroelectronics
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	КИТАЙ	800	12.75
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	YJ	137	5.90
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)		1 433	5.74
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	KINGTRONICS	44	4.97
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	ONS
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	GOOD-ARK
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	MIC	23	6.74
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	YANGJIE
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	YANGJIE (YJ)
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	KLS
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	SAMSUNG
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ST MICROELECTRONICS
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	DC COMPONENTS	7 368	2.45
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FAIR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	UTC
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ИНТЕГРАЛ	400	11.73
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	DIOTEC	5 445	2.62
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FAIRCHILD
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KOREA ELECTRONICS CORPORATION
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	MOTOROLA
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ON SEMICONDUCTOR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	OTHER
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	PHILIPS
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	SAMSUNG
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	STMicroelectronics
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	КИТАЙ
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FSC
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KEC AMERICA (USD)
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...		35 212	1.30  >100 шт.   0.65
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ONS-FAIR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ON SEMICONDUCTOR	26	9.69
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	CJ	4	2.18
		2SA1015		Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	TOSHIBA
		2SA1015		Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	CHANGJIANG ELECTRONIC TECH
		2SA1015		Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	DC COMPONENTS	4 728	3.99
		2SA1015		Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz		14 401	1.40  >100 шт.   0.70
		2SA1015		Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	TOS
		2SA1015		Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	CHANGJIANG ELECTRONIC TECH CO	1 129
		2SA1015		Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	HOTTECH
		MUR460		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	MOTOROLA
		MUR460		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	MCC
		MUR460		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	MOTOROLA
		MUR460		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	ON Semiconductor
		MUR460		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	GENERAL SEMICONDUCTOR
		MUR460		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	ON SEMICONDUCTOR
		MUR460		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27		29 480	5.60
		MUR460		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	КИТАЙ
		MUR460		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	LGE
		MUR460		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	HOTTECH	800	14.76
		MUR460		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	YJ	69 053	18.81
		MUR460		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	1
		MUR460		Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27	KLS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"