Версия для печати
Технические характеристики BT136-800E

Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max)	1.5V
Current - On State (It (RMS)) (Max)	4A
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)	25A, 27A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)	10mA
Voltage - Off State	800V
Current - Hold (Ih) (Max)	15mA
Конфигурация	Single
Тип монтажа	Выводной
Triac Type	Logic - Sensitive Gate
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Корпус	TO-220AB
Корпус (размер)	TO-220-3

BT136 (Симистор (TRIAC)) Triacs Sensitive Gate Также в этом файле: BT136-800E, BT136-800E Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com BT136-800E datasheet 40.91Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Тиристоры

 » 

Симметричный триодный тиристор

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	EIC
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	ON SEMICONDUCTOR
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	DC COMPONENTS	5 708	24.74
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	SMK
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	DIOTEC	160	48.06
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	ST MICROELECTRONICS
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	ONS
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%		3 290	5.90
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	OTHER	3
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	Microsemi Commercial Components Group
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	MULTICOMP
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	KLS
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	HOTTECH
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	MIC
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	1
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	SUNTAN	1 382	6.17
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	LGE
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	SENOCN	4	15.01
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	ASEMI	2 991	5.51
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления		32 000	1.36  >100 шт.   0.68
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIR
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS	5 564
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	Fairchild Semiconductor
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	ONS-FAIR	39	9.27
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	JSCJ	3 160	4.49
		BT137X-800			PHILIPS
		BT137X-800					45.20
		BT137X-800			NXP
		BT137X-800			PHILIPS
		BT138-800E		Симистор	NXP
		BT138-800E		Симистор		2 400	19.47
		BT138-800E		Симистор	ФИЛИППИНЫ
		BT138-800E		Симистор	NXP
		BT138-800E		Симистор	PHILIPS	532	81.20
		BT138-800E		Симистор	NXP/NEXPERIA	9	43.66
		BT138-800E		Симистор	WEEN
		BT138-800E		Симистор	NEX-NXP
		BT138-800E		Симистор	WEIDA
		CNY17-3		Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%	VISHAY	637	54.76
		CNY17-3		Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%	LIT	1 302	20.84
		CNY17-3		Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%			31.48
		CNY17-3		Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%	LITE ON OPTOELECTRONICS
		CNY17-3		Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%	LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP	27
		CNY17-3		Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%	INFINEON
		CNY17-3		Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%	EVERLIGHT	1 412	14.88
		CNY17-3		Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%	FAIRCHILD	800	28.89
		CNY17-3		Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%	LITE-ON
		CNY17-3		Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%	3084

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"