| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3µA @ 4V |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Power - Max | 350mW |
| Impedance (Max) (Zzt) | 10 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| Tolerance | ±5% |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
139 200
|
2.10
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
|
|
4.00
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONS
|
25 351
|
3.78
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2 533
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
VBSEMI
|
4 748
|
3.75
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONSEMI
|
136
|
1.32
|
|
|
|
|
IRFR4105ZPBF |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFR4105ZPBF |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
9
|
|
|
|
|
|
IRFR4105ZPBF |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRFR4105ZPBF |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
TSC
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
|
784
|
11.10
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
BOURNS
|
9
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
YJ
|
90 612
|
3.63
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
LTL
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
LITTELFUSE
|
8 198
|
12.34
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
WAYON
|
36 599
|
7.42
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
LGE
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
HOTTECH
|
11 352
|
4.50
|
|
|
|
|
SMBJ14A |
|
Защитный диод 14В 600Вт SMD
|
YANGZHOU YANGJIE
|
4 755
|
6.90
|
|
 |
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
DC COMPONENTS
|
21 068
|
4.51
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
LITTELFUSE
|
384
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
|
14 800
|
3.00
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
LTL
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
MICROSEMI
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
TSC
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
BRIGHTKING
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
WAYON
|
56
|
11.21
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
JJM
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
HOTTECH
|
33 764
|
4.38
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
YJ
|
54 397
|
3.29
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
1
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
OLITECH
|
667
|
3.52
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
SUNTAN
|
450
|
5.91
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
TRR
|
11 600
|
2.51
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
8 984
|
16.53
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
|
6 000
|
9.78
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
NXP
|
161
|
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
TEXAS
|
2 093
|
13.50
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
408
|
|
|
Версия для печати
