|
Микросхема TDA8359J - интегральная микросхема, предназначенная для использования в 110° и 90° отклоняющих системах современных телевизоров. Она включает в себя кадровый отклоняющий мостовой выход, работающий, как высокоэффективный усилитель. Микросхема TDA8359J может управляться частотой полей от 25 до 200 Гц. Вертикальные отклоняющие катушки 16:9 и 4:3 кинескопов могут быть подключены к микросхеме TDA8359J. Благодаря мостовой конфигурации DC отклоняющего выхода, использование микросхем может быть разработано с положительным напряжением питания 12 В и положительным обратным ходом питания 45 В (в зависимости от конфигурации отклоняющей катушки). Микросхема TDA8359J изготавливается по BCDMOS технологии. В микросхеме используются биполярные и CMOS структуры, а также выходные DMOS – транзисторы. |
Версия для печати
| Корпус | 9-PDBS-EP |
| Корпус (размер) | 9-SIP Exposed Tab, Formed Leads |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
|
TDA8359J Full Bridge Vertical Deflection Output Circuit In Lvdmos
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1N4739A9.1V | DC COMPONENTS |
|
|
|||||
| 2SC815 |
|
Биполярный транзистор | FAI/QTC |
|
|
|||
| 2SC815 |
|
Биполярный транзистор | FSC |
|
|
|||
| 2SC815 |
|
Биполярный транзистор | 23 | 26.46 | ||||
|
|
|
PC817 |
|
Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V | SHARP |
|
|
|
|
|
|
PC817 |
|
Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V | 4 | 20.35 | ||
|
|
|
PC817 |
|
Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V | SHARP |
|
|
|
|
|
|
PC817 |
|
Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
PC817 |
|
Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V | FAIRCHILD |
|
|
|
|
|
|
PC817 |
|
Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V | 4-7 НЕДЕЛЬ | 281 |
|
|
|
|
|
STP4NK60Z |
|
N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STP4NK60Z |
|
N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot |
|
123.56 | ||
|
|
|
STP4NK60Z |
|
N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
STP4NK60Z |
|
N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STP4NK60Z |
|
N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot | КИТАЙ |
|
|
|
| UF5407 | DC COMPONENTS |
|
|
|||||
| UF5407 | SMK |
|
|