Версия для печати
Технические характеристики TDA1013B

Количество каналов	1
Выходная мощность, Вт	4.2
Напряжение питания, В	40
Тип корпуса	SIL9
Напряжение на нагрузке, В	18
Сопротивление нагрузки, Ом	8
Вид напряжения питания	однополярное

TDA1013B (Аудио-усилители) 4 W Audio Power Amplifier With Dc Volume Control Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com TDA1013B datasheet 115.43Kb 11стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	INFINEON
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	NXP
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	PHILIPS
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт			34.40
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	INFINEON
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	PHILIPS
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	КИТАЙ
		TES 1-1211		DC/DC, 1Вт, вход 10,8:13,2В, выход 5В/200мА, изоляция 1500В DC,корпус SMD 13,7х7х8мм, ...	TRACO	24	1 120.03
		TES 1-1211		DC/DC, 1Вт, вход 10,8:13,2В, выход 5В/200мА, изоляция 1500В DC,корпус SMD 13,7х7х8мм, ...
		КС591 (СТЕКЛО)
		КС630А1		металл		147	25.50
		КС630А1		металл	НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
		КС630А1		металл	НОВОСИБИРСК
		КС630А1		металл	ЭКСПОРТ
		КС630А1		металл		147	25.50
		КС630А1		металл	RUS
		КТ315Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ...		302	18.00
		КТ315Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ...	МИНСК

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"