|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3296W-1-503 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 50 кОм 3/8``
|
CHINA
|
12
|
13.56
|
|
|
|
3296W-1-503 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 50 кОм 3/8``
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3296W-1-503 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 50 кОм 3/8``
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3296W-1-503 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 50 кОм 3/8``
|
|
|
96.72
|
|
|
|
3296W-1-503 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 50 кОм 3/8``
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3296W-1-503 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 50 кОм 3/8``
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
3296W-1-503 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 50 кОм 3/8``
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
3296W-1-503 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 50 кОм 3/8``
|
BOCHEN
|
4 642
|
13.33
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
4 791
|
1.60
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
42 838
|
2.33
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
27 909
|
1.69
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
144
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
16 528
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 312
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
30 860
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
1 250 610
|
1.18
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
2 920
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
176 161
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
9 600
|
1.03
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
168 000
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
1 590
|
1.42
|
|
|
|
BZV55-C15 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 15 V, 5%
|
DC COMPONENTS
|
15 356
|
2.29
|
|
|
|
BZV55-C15 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 15 V, 5%
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C15 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 15 V, 5%
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C15 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 15 V, 5%
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C15 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 15 V, 5%
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C15 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 15 V, 5%
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BZV55-C15 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 15 V, 5%
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C15 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 15 V, 5%
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BZV55-C15 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 15 V, 5%
|
HOTTECH
|
4 281
|
1.22
>100 шт. 0.61
|
|
|
|
IRG4PC30W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PC30W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
|
|
191.24
|
|
|
|
IRG4PC30W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
PIC16F84-04I/P |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F84-04I/P |
|
|
|
|
1 547.60
|
|
|
|
PIC16F84-04I/P |
|
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC16F84-04I/P |
|
|
INFINEON TECH
|
|
|
|