| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
NXP
|
1 206
|
21.00
|
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
|
395
|
22.20
|
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
1
|
|
|
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
FUMAN
|
5 662
|
3.40
|
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
NXP/NEXPERIA
|
691
|
11.76
|
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
316
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
2 664
|
2.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
20 857
|
1.61
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
18 155
|
3.85
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
486
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
301 687
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
14 885
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.64
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
4 252
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
3.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
8 894
|
1.03
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
62 400
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
XXW
|
174 723
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
CTK
|
160
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KEEN SIDE
|
600
|
1.08
>500 шт. 0.36
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
MERRYELC
|
246 080
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE
|
1 900
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
|
40
|
42.55
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
1
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
344
|
|
|
|
|
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
MICRO CHIP
|
232
|
453.60
|
|
|
|
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
|
|
207.12
|
|
|
|
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
MCHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
46
|
|
|
|
|
К155АГ1 |
|
Одноканальный ждущий мультивибратор
|
|
4
|
33.30
|
|
|
|
К155АГ1 |
|
Одноканальный ждущий мультивибратор
|
RUS
|
|
|
|
|
|
К155АГ1 |
|
Одноканальный ждущий мультивибратор
|
ПЛАНЕТА
|
8
|
206.64
|
|