Версия для печати
Технические характеристики LA4631

Количество каналов	2
Выходная мощность, Вт	2x16
Напряжение питания, В	5.5...22
Тип корпуса	SIP14HZ
Напряжение на нагрузке, В	15
Сопротивление нагрузки, Ом	6
Вид напряжения питания	однополярное

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC5249		Биполярный транзистор NPN 600V, 3A, 35W		2	173.88
		2SC5249		Биполярный транзистор NPN 600V, 3A, 35W	SK
		2SC5249		Биполярный транзистор NPN 600V, 3A, 35W	SANKEN
		AMS1117-ADJ SOT-223
		BSH103		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	INFINEON
		BSH103		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	NXP
		BSH103		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	PHILIPS
		BSH103		Транзистор полевой N-канальный MOSFET			18.08
		BSH103		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	NXP	78
		BSH103		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	PHILIPS
		BSH103		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	VBSEMI
		BUT11AF		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A	NXP
		BUT11AF		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A	PHILIPS	22	136.50
		BUT11AF		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A		11	136.08
		BUT11AF		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A	INCHANG
		BUT11AF		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A	UNKNOWN
		BUT11AF		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A	МАЛАЙЗИЯ
		BUT11AF		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A	ISCSEMI
		BUT11AF		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A	1
		MMBT2907ALT1G		Полевой транзистор SMD	ON SEMICONDUCTOR
		MMBT2907ALT1G		Полевой транзистор SMD			3.56
		MMBT2907ALT1G		Полевой транзистор SMD	ONS	125 232	2.25
		MMBT2907ALT1G		Полевой транзистор SMD	ON SEMICONDUCTOR	5 858
		MMBT2907ALT1G		Полевой транзистор SMD	ON SEMICONDUCTO
		MMBT2907ALT1G		Полевой транзистор SMD	ONSEMICONDUCTOR

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"