|
|
Версия для печати
| Количество каналов | 2 |
| Выходная мощность, Вт | 0.9 |
| Напряжение питания, В | 6...16 |
| Тип корпуса | SIP8 |
| Напряжение на нагрузке, В | 8 |
| Сопротивление нагрузки, Ом | 10k |
| Вид напряжения питания | однополярное |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5192 |
|
Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||
| 2N5192 |
|
Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32 |
|
|
||||
| 2N5192 |
|
Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32 | STMicroelectronics |
|
|
|||
| 2N5192 |
|
Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
|
|
|
2SD669(A) |
|
Биполярный транзистор | HITACHI |
|
|
|
|
|
|
2SD669(A) |
|
Биполярный транзистор | HIT |
|
|
|
|
|
|
2SD669(A) |
|
Биполярный транзистор |
|
20.96 | ||
|
|
|
2SD669(A) |
|
Биполярный транзистор | КИТАЙ |
|
|
|
| CRAMOLIN ANTISTATIC, 200 МЛ |
|
480.00 | ||||||
|
|
КТ835Б | 23 | 12.95 | |||||
|
|
КТ835Б | ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП |
|
|
||||
|
|
КТ835Б | ВОРОНЕЖ | 339 | 21.00 | ||||
| ПОС-60 0.8 ММ С ФЛЮСОМ, 0.25 КГ. |
|
572.76 |