Версия для печати
Технические характеристики EPC1PI8

Корпус	8-PDIP
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение питания	3 V ~ 3.6 V, 4.5 V ~ 5.5 V
Объем памяти	1Mb
Тип программирования	OTP
Серия	EPC
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

EPC1064C (EPROM) SRAM-Based LUT Devices Также в этом файле: EPC1PI8 Производитель: Altera Corporation //www.altera.com EPC1PI8 datasheet 527.92Kb 36стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Память (EEPROM, Flash, RAM)

 » 

Конфигурируемые PROM для FPGA

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC1815		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	CHANGJIANG ELECTRONIC TECH
		2SC1815		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	DC COMPONENTS	10 084	3.51
		2SC1815		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz		4 807	1.01
		2SC1815		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	CHANGJIANG ELECTRONIC TECH CO
		2SC1815		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	TOSHIBA
		2Д212А		Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до ...		878	393.75
		2Д212А		Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до ...	ФОТОН	1 516	382.20
		2Д212А		Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до ...	САРАНСК
		2Д212А		Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до ...	RUS
		2Д212А		Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до ...	ОРБИТА	14	311.10
		2Д212А		Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до ...	ОКБ ФОТОН
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%		52	1.28
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	FAIR
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	VISHAY
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	FAIRCHILD
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	FAIRCHILD
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	OTHER	3 404
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	GALAXY
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	Fairchild Semiconductor
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	КИТАЙ
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	KINGTRONICS
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	GALAXY ME
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	PANJIT	754	2.08
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	HOTTECH
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	YANGJIE (YJ)
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	KLS
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	1
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	CHIN
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	DC COMPONENTS	37 606	2.00
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	MCC
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)		52	8.40
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	GALAXY
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	DC COMPONENTS
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.	756
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	RECTRON	82
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	GEMBIRD
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	КИТАЙ	400	6.63
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	NINGBO
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	MIC	17 200	1.36  >100 шт.   0.68
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	RECTIFIER
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	QUAN-HONG
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	GALAXY ME
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	KINGTRONICS
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	TSC
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	SUNTAN
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	KLS
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	WUXI XUYANG	1 288	2.75
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	HOTTECH	35 120	1.61
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	YANGJIE	12 800	2.26
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	1
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	NY	12 800	2.00
		PIC17C756A-33I/L		4Kx14 Flash 36I/O 20MHz	MICRO CHIP
		PIC17C756A-33I/L		4Kx14 Flash 36I/O 20MHz	Microchip Technology
		PIC17C756A-33I/L		4Kx14 Flash 36I/O 20MHz
		PIC17C756A-33I/L		4Kx14 Flash 36I/O 20MHz

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"