| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
|
2 924
|
13.13
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
484
|
15.50
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
PILIPINES
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHANGJIANG
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
72
|
4.04
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
JSCJ
|
27 946
|
6.46
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИМОРТ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
VISHAY
|
292
|
198.73
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
ISIL
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
SILICONIX
|
19
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
|
2
|
60.98
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
VISHAY
|
2
|
459.65
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
|
308
|
120.72
|
|
|
|
|
К73-17-100-0.22 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.22 мкФ 100 В
|
|
|
9.28
|
|
|
|
|
К73-17-100-0.22 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.22 мкФ 100 В
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
К73-17-100-0.22 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.22 мкФ 100 В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
К73-17-100-0.47 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.47 мкФ 100 В
|
|
|
14.00
|
|
|
|
К73-17-100-0.47 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.47 мкФ 100 В
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
К73-17-100-0.47 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.47 мкФ 100 В
|
КИТАЙ
|
|
|
|