IRF7842

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF7842 (INTERNATIONAL RECTIFIER)	56	125.95
IRF7842		196.00

Версия для печати

Технические характеристики IRF7842

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 17A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	18A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	50nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4500pF @ 20V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7842 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF7842 datasheet
162.8 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRF7855PBF	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 12A, 2.5W, 0.0094R)	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7855PBF	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 12A, 2.5W, 0.0094R)	INTERNATIONAL RECTIFIER	40
IRF7855PBF	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 12A, 2.5W, 0.0094R)	INFINEON
IRF7855PBF	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 12A, 2.5W, 0.0094R)
LM5642MTC		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM5642MTC		NSC
LM5642MTC				600.00
LM5642MTC		NATIONAL SEMICONDUCTOR	90