IRL7833S

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRL7833S		273.20

Версия для печати

Технические характеристики IRL7833S

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 38A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	150A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	47nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4170pF @ 15V
Power - Max	140W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRL7833S (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRL7833S datasheet
269.6 Кб