Индекс в названии G = Pb−Free |
Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 200µA |
Current - On State (It (RMS)) (Max) | 800mA |
Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.7V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 800mV |
Voltage - Off State | 400V |
SCR Type | Sensitive Gate |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Current - Hold (Ih) (Max) | 5mA |
Current - Off State (Max) | 10µA |
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 10A @ 60Hz |
Рабочая температура | -40°C ~ 110°C |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Корпус | TO-92-3 |
MCR100 (Традиционные тиристоры (SCR)) Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Также в этом файле: MCR100-6RLRM, MCR100-6RLRMG
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N5064 | Тиристор чувствительный 200в 0,8A 200µA | NXP | ||||||
2N5064 | Тиристор чувствительный 200в 0,8A 200µA | PHILIPS | ||||||
2N5064 | Тиристор чувствительный 200в 0,8A 200µA | |||||||
2N5064 | Тиристор чувствительный 200в 0,8A 200µA | NXP | 145 | |||||
2N5064 | Тиристор чувствительный 200в 0,8A 200µA | PHILIPS | 156 | |||||
2N5064 | Тиристор чувствительный 200в 0,8A 200µA | Littelfuse / Teccor Brand Thyristors | ||||||
2N5064 | Тиристор чувствительный 200в 0,8A 200µA | TECCOR | 852 | |||||
2N5064 | Тиристор чувствительный 200в 0,8A 200µA | |||||||
EC103D | Тиристор чувствительный 400в, ток 0,8A 200µA | TECCOR | ||||||
EC103D | Тиристор чувствительный 400в, ток 0,8A 200µA | TECCOR | ||||||
EC103D | Тиристор чувствительный 400в, ток 0,8A 200µA | Littelfuse / Teccor Brand Thyristors | ||||||
EC103D | Тиристор чувствительный 400в, ток 0,8A 200µA | LTL | ||||||
EC103D | Тиристор чувствительный 400в, ток 0,8A 200µA |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
298ФН8 | 80 | 260.10 | ||||||
298ФН8 | РОДОН | |||||||
CJ78L12 | JIANGSU CHANJIANG ELECTRONICS | 431 | ||||||
CJ78L12 | CJ | |||||||
CJ78L12 | ||||||||
MMBTA06LT1G | Транзистор | ON SEMICONDUCTOR | ||||||
MMBTA06LT1G | Транзистор | ONS | 1 | 18.70 | ||||
MMBTA06LT1G | Транзистор | ON SEMICONDUCTOR | 2 643 | |||||
MMBTA06LT1G | Транзистор | 16 | ||||||
MMBTA06LT1G | Транзистор | ON SEMICONDUCTO | ||||||
MMBTA06LT1G | Транзистор | ONSEMICONDUCTOR | ||||||
Д816В | Стабилитрон боьшой мощности | 3 582 | 17.85 | |||||
Д816В | Стабилитрон боьшой мощности | НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП | ||||||
Д816В | Стабилитрон боьшой мощности | НЭВЗ-СОЮЗ | ||||||
Д816В | Стабилитрон боьшой мощности | НОВОСИБИРСК | 122 | 20.00 | ||||
Д816В | Стабилитрон боьшой мощности | RUS | ||||||
Д816В | Стабилитрон боьшой мощности | НЗПП | 272 | 35.42 | ||||
Д816В | Стабилитрон боьшой мощности | НЭВЗ | 33 | 19.68 | ||||
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 КРАСН. 0.5М | 36.08 | |||||||
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 КРАСН. 0.5М | ПОЛЬША | |||||||
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 КРАСН. 0.5М | ГЕРМАНИЯ |
|