| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
|
23
|
30.24
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
480
|
16.53
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
США
|
|
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
INTEGRAL
|
|
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
345
|
23.97
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
HOTTECH
|
160
|
6.92
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
WUXI XUYANG
|
9
|
26.70
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
SUNTAN
|
196
|
7.60
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
LUGUANG
|
489
|
18.81
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
KEEN SIDE
|
2 063
|
4.96
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
XXW
|
3 868
|
7.26
|
|
|
|
LM318D |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM318D |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM318D |
|
|
|
4
|
72.40
|
|
|
|
LM318D |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM318D |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM318D |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
SHARP
|
15 312
|
7.23
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
|
32
|
13.02
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
EVL
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
SHARPLCD
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
MICRONE
|
3 357
|
5.88
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
EVERLLIGHT
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
CHE
|
8 000
|
15.34
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
YOUTAI
|
46 071
|
4.38
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
SLKOR
|
29 537
|
5.73
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
RUME
|
121 920
|
2.00
|
|
|
|
|
ULN2803AFWG |
|
|
TOSHIBA
|
4 518
|
46.50
|
|
|
|
|
ULN2803AFWG |
|
|
TOS
|
|
|
|
|
|
|
ULN2803AFWG |
|
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
|
ULN2803AFWG |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ULN2803AFWG |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
ULN2803AFWG |
|
|
5604
|
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
|
730
|
27.60
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
ТОМСК
|
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
СТАРТ
|
200
|
42.36
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
ПРОТОН
|
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
ПЛАНЕТА СИД
|
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
ПЛАНЕТА-СИД
|
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
RUS
|
|
|
|