BFG67/X

Версия для печати

Технические характеристики BFG67/X

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	10V
Frequency - Transition	8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)	1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
Power - Max	380mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	60 @ 15mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max)	50mA
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-253-4, TO-253AA
Корпус	SOT-143B

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BFG67/X (Радиочастотные биполярные транзисторы)

NPN 8 GHz wideband transistors

Также в этом файле: BFG67/X, BFG67/XR, BFG67/XR

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

BFG67/X datasheet
136.9Kb
16стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
GRM188R71H683KA93D		Murata Electronics North America
GRM188R71H683KA93D		MUR	7 951	1.09
GRM188R71H683KA93D
GRM188R71H683KA93D		MURATA
PVZ3A502C01R00		Murata Electronics North America
PVZ3A502C01R00		MUR
PVZ3A502C01R00
PVZ3A502C01R00		MURATA
PVZ3A504A01R00		Murata Electronics North America
PVZ3A504A01R00		MUR
PVZ3A504A01R00
RLB0914-102KL	Катушка индуктивности на ферритовом сердечнике экранированная 1мГн, 300мА, 10%, 2.1Ом	BOURNS	136	52.15
RLB0914-102KL	Катушка индуктивности на ферритовом сердечнике экранированная 1мГн, 300мА, 10%, 2.1Ом			57.60
RLB0914-470KL	Дроссель (L=47uH +/-10%, Idc=1.5A, R=0.14 Ohm, Q=30@f=2.52MHz, SRF=6.0MHz, d=8.7mm, ...	BOURNS
RLB0914-470KL	Дроссель (L=47uH +/-10%, Idc=1.5A, R=0.14 Ohm, Q=30@f=2.52MHz, SRF=6.0MHz, d=8.7mm, ...			75.20
RLB0914-470KL	Дроссель (L=47uH +/-10%, Idc=1.5A, R=0.14 Ohm, Q=30@f=2.52MHz, SRF=6.0MHz, d=8.7mm, ...	ВОURNS