Мощность рассеяния,Вт | 0.15 |
Минимальное напряжение стабилизации,В | 6.2 |
Номинальное напряжение стабилизации,В | 6.8 |
Максимальное напряжение стабилизации,В | 7.4 |
Статическое сопротивление Rст.,Ом | 28 |
при токе I ст,мА | 10 |
Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С | 0.05 |
Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В | 1 |
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 3 |
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 20 |
Рабочая температура,С | -60...125 |
Способ монтажа | в отверстие |
Корпус | kd25 |
Производитель | Россия |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
|
|
4.92
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
PHILIPS
|
4 000
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
JSCJ
|
14 748
|
2.81
|
|
|
|
RC0805JR-07150K |
|
Резистор SMD, 0805, 150кОм, 0.125Вт, 5%
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
RC0805JR-07150K |
|
Резистор SMD, 0805, 150кОм, 0.125Вт, 5%
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
Д818Г |
|
стекло
|
|
1 808
|
129.50
|
|
|
|
Д818Г |
|
стекло
|
НЗПП
|
168
|
67.90
|
|
|
|
Д818Г |
|
стекло
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
11
|
78.36
|
|
|
|
Д818Г |
|
стекло
|
НОВОСИБИРСК
|
24
|
10.00
|
|
|
|
Д818Г |
|
стекло
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
Д818Г |
|
стекло
|
RUS
|
|
|
|
|
|
Д818Д |
|
|
|
1 833
|
16.83
|
|
|
|
Д818Д |
|
|
НЗПП
|
104
|
44.28
|
|
|
|
Д818Д |
|
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
Д818Д |
|
|
НОВОВСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
Д818Д |
|
|
НОВОСИБИРСК
|
5 844
|
20.00
|
|
|
|
Д818Д |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
|
1 040
|
16.45
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
СЗТП
|
268
|
25.50
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|