КС531В1
|
|
Версия для печати
| Мощность рассеяния,Вт | 0.5 |
| Минимальное напряжение стабилизации,В | 29 |
| Номинальное напряжение стабилизации,В | 31 |
| Максимальное напряжение стабилизации,В | 33 |
| Статическое сопротивление Rст.,Ом | 90 |
| при токе I ст,мА | 5 |
| Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С | 0.005 |
| Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В | 1 |
| Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 1 |
| Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 15 |
| Рабочая температура,С | -60...100 |
| Способ монтажа | в отверстие |
| Корпус | kd25 |
| Производитель | Россия |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
3362P-1-105LF |
|
Bourns Inc |
|
|
||
|
|
|
3362P-1-105LF |
|
BOURNS | 452 | 21.42 | ||
|
|
|
3362P-1-105LF |
|
|
|
|||
|
|
|
3362P-1-105LF |
|
OLITECH |
|
|
||
| NCP1402SN50T1G |
|
Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V). | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| NCP1402SN50T1G |
|
Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V). | ONS | 1 342 | 112.60 | |||
| NCP1402SN50T1G |
|
Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V). |
|
|
||||
| NCP1402SN50T1G |
|
Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V). | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| NCP1402SN50T1G |
|
Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V). | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||
| NCP1402SN50T1G |
|
Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V). | 4-7 НЕДЕЛЬ | 745 |
|
|||
| PVZ3A105, 1 МОМ (3303W-3-105), РЕЗИСТОР ПОДСТРОЕЧНЫЙ | MURATA |
|
|
|||||
| SS12F23EG5-G | SWITRONIC | 1 026 | 26.06 | |||||
| SS12F23EG5-G | SWITR |
|
|
|||||
| SS12F23EG5-G |
|
|
||||||
| TDA7052AT/N2.118 | NXP |
|
|
|||||
| TDA7052AT/N2.118 |
|
|
