Структура инт. ключ |
Корпус | PG-SOT223-4 |
Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | -40°C ~ 150°C |
Напряжение питания | 5 V ~ 34 V |
Ток - выходной (пиковое значение) | 1.5A |
Ток выходной / канал | 700mA |
Сопротивление (On-State) | 160 mOhm |
Число выходов | 1 |
Тип входа | Non-Inverting |
Тип | High Side |
Серия | miniPROFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
BSP452 SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated dV / d t rated)
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
KNP100JR-73-0R91 | Yageo | |||||||
LABEL-OFF, 200 МЛ. | 1 040.00 | |||||||
MAX4544EUT | MAXIM | |||||||
MAX4544EUT | 111.00 | |||||||
MAX4544EUT | MAX | |||||||
PLASTIC, 400 МЛ. | ||||||||
STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS | ||||||
STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | 4 | 340.00 | |||||
STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS SEMI | ||||||
STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | STMicroelectronics | ||||||
STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | КИТАЙ | ||||||
STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRO |
|