| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 750mV @ 50mA, 500mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 1V |
| Power - Max | 250mW |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BZV55C10 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 10В, 40мА
|
|
17 896
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
|
BZV55C10 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 10В, 40мА
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C10 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 10В, 40мА
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C10 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 10В, 40мА
|
DC COMPONENTS
|
56 707
|
1.32
|
|
|
|
|
BZV55C10 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 10В, 40мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C10 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 10В, 40мА
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C10 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 10В, 40мА
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C10 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 10В, 40мА
|
HOTTECH
|
31 452
|
1.08
|
|
|
|
|
BZV55C10 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 10В, 40мА
|
1
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C10 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 10В, 40мА
|
CTK
|
1 215
|
1.80
>100 шт. 0.90
|
|
|
|
|
BZV55C10 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 10В, 40мА
|
XXW
|
21 120
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
|
CC1206KKX7R0BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В
|
YAGEO
|
150 977
|
1.23
|
|
|
|
|
CC1206KKX7R0BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В
|
|
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX7R0BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX7R0BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX7R0BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
|
1 960
|
4.42
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
КРЕМНИЙ
|
2 704
|
18.81
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
МИНСК
|
11 229
|
11.16
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
14852
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Г |
|
Тиристор кремниевый, планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n, триодный, незапираемый
|
|
37
|
30.24
|
|
|
|
|
КУ202Г |
|
Тиристор кремниевый, планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n, триодный, незапираемый
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Г |
|
Тиристор кремниевый, планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n, триодный, незапираемый
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Г |
|
Тиристор кремниевый, планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n, триодный, незапираемый
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Г |
|
Тиристор кремниевый, планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n, триодный, незапираемый
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
Версия для печати
