| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
|
|
4.20
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
KEMET
|
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
NXP
|
599
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
PHILIPS
|
14 631
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
JSCJ
|
1 072 677
|
1.20
|
|
|
|
|
КП306Б |
|
|
|
28
|
123.20
|
|
|
|
|
КП306Б |
|
|
ВИННИЦА
|
27
|
120.00
|
|
|
|
|
КП306Б |
|
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
|
КП306Б |
|
|
НОВОРОСИЙСК
|
|
|
|
|
|
|
КП307А |
|
Транзистор кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
|
957
|
24.64
|
|
|
|
|
КП307А |
|
Транзистор кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
ФОТОН
|
742
|
30.00
|
|
|
|
|
КП327А |
|
|
|
21
|
25.20
|
|
|
|
|
КП327А |
|
|
ВИННИЦА
|
1 264
|
12.00
|
|
|
|
|
КТ399АМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ...
|
|
150
|
10.50
|
|
|
|
|
КТ399АМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ...
|
СВЕТЛАНА
|
80
|
43.35
|
|
|
|
|
КТ399АМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ...
|
RUS
|
|
|
|
Версия для печати
